Electron mobility in a GaAs/AlAs quantum well with a thin AlAs middle barrier
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, XF ; Lima, ICD ; LEI, XL（雷啸霖）（雷啸霖） |
| 刊名 | PHYSICAL REVIEW B
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 58期号:19页码:12609-12612 |
| 关键词 | PHONON-SCATTERING RATES OPTICAL PHONONS DOUBLE HETEROSTRUCTURES BILAYER SYSTEMS FIELD SUPERLATTICES ENHANCEMENT MODULATION TRANSPORT WIRE |
| ISSN号 | 1098-0121 |
| 通讯作者 | Wang, XF, Ctr Brasileiro Pesquisas Fis, Urca, Rua Dr Xavier Sigaud 150, BR-22290180 Rio De Janeiro, Brazil |
| 学科主题 | Physics, Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98962]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, XF,Lima, ICD,LEI, XL. Electron mobility in a GaAs/AlAs quantum well with a thin AlAs middle barrier[J]. PHYSICAL REVIEW B,1998,58(19):12609-12612. |
| APA | Wang, XF,Lima, ICD,&LEI, XL.(1998).Electron mobility in a GaAs/AlAs quantum well with a thin AlAs middle barrier.PHYSICAL REVIEW B,58(19),12609-12612. |
| MLA | Wang, XF,et al."Electron mobility in a GaAs/AlAs quantum well with a thin AlAs middle barrier".PHYSICAL REVIEW B 58.19(1998):12609-12612. |
入库方式： OAI收割
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