Hot-electron transport and impact ionization process in Hg0.8Cd0.2Te
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, XF ; Lima, ICD ; LEI, XL（雷啸霖）（雷啸霖） ; Troper, A |
| 刊名 | PHYSICAL REVIEW B
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 58期号:7页码:3529-3532 |
| 关键词 | MONTE-CARLO SIMULATION RECOMBINATION MOBILITY HGCDTE FIELD |
| ISSN号 | 0163-1829 |
| 通讯作者 | Wang, XF, Univ Estado Rio de Janeiro, Inst Fis, Rua Sao Francisco Xavier 524, BR-20550013 Rio De Janeiro, Brazil |
| 学科主题 | Physics, Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98971]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, XF,Lima, ICD,LEI, XL,et al. Hot-electron transport and impact ionization process in Hg0.8Cd0.2Te[J]. PHYSICAL REVIEW B,1998,58(7):3529-3532. |
| APA | Wang, XF,Lima, ICD,LEI, XL,&Troper, A.(1998).Hot-electron transport and impact ionization process in Hg0.8Cd0.2Te.PHYSICAL REVIEW B,58(7),3529-3532. |
| MLA | Wang, XF,et al."Hot-electron transport and impact ionization process in Hg0.8Cd0.2Te".PHYSICAL REVIEW B 58.7(1998):3529-3532. |
入库方式： OAI收割
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