Low-lying electronic states of In2As2, In2As2+ and In2As2-
文献类型:期刊论文
作者 | Feng, PY ; Liao, MZ ; Balasubramanian, K |
刊名 | CHEMICAL PHYSICS LETTERS
![]() |
出版日期 | 1998 |
卷号 | 296期号:3-4页码:283-291 |
关键词 | KINETIC-ENERGY SPECTROSCOPY RELATIVISTIC EFFECTIVE POTENTIALS GALLIUM-ARSENIDE CLUSTERS INDIUM-PHOSPHIDE CLUSTERS SPIN-ORBIT OPERATORS SMALL GAAS CLUSTERS PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY SEMICONDUCTORS CONSTANTS CURVES |
ISSN号 | 0009-2614 |
通讯作者 | Balasubramanian, K, Arizona State Univ, Dept Biochem & Chem, Tempe, AZ 85287 USA |
学科主题 | Chemistry, Physical; Physics, Atomic, Molecular & Chemical |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-03-25 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98986] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Feng, PY,Liao, MZ,Balasubramanian, K. Low-lying electronic states of In2As2, In2As2+ and In2As2-[J]. CHEMICAL PHYSICS LETTERS,1998,296(3-4):283-291. |
APA | Feng, PY,Liao, MZ,&Balasubramanian, K.(1998).Low-lying electronic states of In2As2, In2As2+ and In2As2-.CHEMICAL PHYSICS LETTERS,296(3-4),283-291. |
MLA | Feng, PY,et al."Low-lying electronic states of In2As2, In2As2+ and In2As2-".CHEMICAL PHYSICS LETTERS 296.3-4(1998):283-291. |
入库方式: OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。