Study of Cu gettering to cavities in separation by implantation of oxygen substrates
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, M ; Lin, CL ; Hemment, PLF ; Gutjahr, K ; Gosele, U |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 72期号:7页码:830-832 |
| 关键词 | SILICON-OXIDES BREAKDOWN COPPER NICKEL |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 通讯作者 | Zhang, M, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Met, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98991]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, M,Lin, CL,Hemment, PLF,et al. Study of Cu gettering to cavities in separation by implantation of oxygen substrates[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,1998,72(7):830-832. |
| APA | Zhang, M,Lin, CL,Hemment, PLF,Gutjahr, K,&Gosele, U.(1998).Study of Cu gettering to cavities in separation by implantation of oxygen substrates.APPLIED PHYSICS LETTERS,72(7),830-832. |
| MLA | Zhang, M,et al."Study of Cu gettering to cavities in separation by implantation of oxygen substrates".APPLIED PHYSICS LETTERS 72.7(1998):830-832. |
入库方式： OAI收割
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