Molecular-dynamics study of transient-diffusion mechanisms in low-temperature epitaxial growth
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yue, Y ; Ho, YK ; Pan, ZY |
| 刊名 | PHYSICAL REVIEW B
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 57期号:11页码:6685-6688 |
| 关键词 | COPPER CLUSTER DEPOSITION THIN-FILM GROWTH TRANSITION SURFACES ATOMS OSCILLATIONS SIMULATIONS METALS |
| ISSN号 | 0163-1829 |
| 通讯作者 | Ho, YK, Fudan Univ, Dept Phys 2, Shanghai 200433, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://prb.aps.org/abstract/PRB/v57/i11/p6685_1 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/99006]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yue, Y,Ho, YK,Pan, ZY. Molecular-dynamics study of transient-diffusion mechanisms in low-temperature epitaxial growth[J]. PHYSICAL REVIEW B,1998,57(11):6685-6688. |
| APA | Yue, Y,Ho, YK,&Pan, ZY.(1998).Molecular-dynamics study of transient-diffusion mechanisms in low-temperature epitaxial growth.PHYSICAL REVIEW B,57(11),6685-6688. |
| MLA | Yue, Y,et al."Molecular-dynamics study of transient-diffusion mechanisms in low-temperature epitaxial growth".PHYSICAL REVIEW B 57.11(1998):6685-6688. |
入库方式： OAI收割
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