Electronic subbands in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs pseudomorphic heterostructures grown by GSMBE
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen, JX ; Li, AZ ; Ren, YC ; Friedland, K ; Ploog, K ; Chen, ZH ; Hu, CM |
| 刊名 | JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 34页码:S32-S35 |
| 关键词 | TRANSPORT MOBILITY GAS |
| ISSN号 | 0374-4884 |
| 通讯作者 | Chen, JX, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Met, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/99141]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, JX,Li, AZ,Ren, YC,et al. Electronic subbands in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs pseudomorphic heterostructures grown by GSMBE[J]. JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY,1999,34:S32-S35. |
| APA | Chen, JX.,Li, AZ.,Ren, YC.,Friedland, K.,Ploog, K.,...&Hu, CM.(1999).Electronic subbands in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs pseudomorphic heterostructures grown by GSMBE.JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY,34,S32-S35. |
| MLA | Chen, JX,et al."Electronic subbands in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs pseudomorphic heterostructures grown by GSMBE".JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 34(1999):S32-S35. |
入库方式： OAI收割
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