Properties of seamless W sub-micro electrode used for phase change memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Feng, GM ; Song, ZT ; Liu, B ; Feng, SL ; Wan, XD |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 25期号:6页码:2289-2291 |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 通讯作者 | Feng, GM, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Lab Nanotechnol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94914]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Feng, GM,Song, ZT,Liu, B,et al. Properties of seamless W sub-micro electrode used for phase change memory[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2008,25(6):2289-2291. |
| APA | Feng, GM,Song, ZT,Liu, B,Feng, SL,&Wan, XD.(2008).Properties of seamless W sub-micro electrode used for phase change memory.CHINESE PHYSICS LETTERS,25(6),2289-2291. |
| MLA | Feng, GM,et al."Properties of seamless W sub-micro electrode used for phase change memory".CHINESE PHYSICS LETTERS 25.6(2008):2289-2291. |
入库方式： OAI收割
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