Process-induced mechanical stress effects on deep submicron CMOS device
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li, R ; Wang, QD |
| 刊名 | ACTA PHYSICA SINICA
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 57期号:7页码:4497-4507 |
| 关键词 | P(+) SILICON FILMS DEFORMATION POTENTIALS THERMAL-OXIDATION INVERSION LAYERS DOPANT DIFFUSION THIN-FILMS STRAIN BORON IMPACT STI |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 通讯作者 | Li, R, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94935]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, R,Wang, QD. Process-induced mechanical stress effects on deep submicron CMOS device[J]. ACTA PHYSICA SINICA,2008,57(7):4497-4507. |
| APA | Li, R,&Wang, QD.(2008).Process-induced mechanical stress effects on deep submicron CMOS device.ACTA PHYSICA SINICA,57(7),4497-4507. |
| MLA | Li, R,et al."Process-induced mechanical stress effects on deep submicron CMOS device".ACTA PHYSICA SINICA 57.7(2008):4497-4507. |
入库方式： OAI收割
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