The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Shen, J ; Liu, B ; Song, ZT ; Xu, C ; Liang, S ; Feng, SL ; Chen, BM |
| 刊名 | APPLIED SURFACE SCIENCE
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 254期号:15页码:4638-4643 |
| 关键词 | RANDOM-ACCESS MEMORY PHASE-CHANGE NEGATIVE RESISTANCE SWITCHING PHENOMENA GE2SB2TE5 FILM OXIDE-FILMS GLASSES TRANSITION |
| ISSN号 | 0169-4332 |
| 通讯作者 | Shen, J, Chinese Acad Sci, Lab Nanotechnol, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Chemistry, Physical; Materials Science, Coatings & Films; Physics, Applied; Physics, Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94938]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shen, J,Liu, B,Song, ZT,et al. The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory[J]. APPLIED SURFACE SCIENCE,2008,254(15):4638-4643. |
| APA | Shen, J.,Liu, B.,Song, ZT.,Xu, C.,Liang, S.,...&Chen, BM.(2008).The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory.APPLIED SURFACE SCIENCE,254(15),4638-4643. |
| MLA | Shen, J,et al."The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory".APPLIED SURFACE SCIENCE 254.15(2008):4638-4643. |
入库方式： OAI收割
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