Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications
文献类型：期刊论文
| 作者 | Shen, J ; Liu, B ; Song, Z ; Xu, C ; Rao, F ; Liang, S ; Feng, S ; Chen, B |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS EXPRESS
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 1期号:1页码:11201-11201 |
| 关键词 | CHANGE OPTICAL DISK PHASE-CHANGE MEMORY GE2SB2TE5 FILM HIGH-DENSITY DEVICE |
| ISSN号 | 1882-0778 |
| 通讯作者 | Shen, J, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Lab Nanotechnol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94959]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shen, J,Liu, B,Song, Z,et al. Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications[J]. APPLIED PHYSICS EXPRESS,2008,1(1):11201-11201. |
| APA | Shen, J.,Liu, B.,Song, Z.,Xu, C.,Rao, F.,...&Chen, B.(2008).Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications.APPLIED PHYSICS EXPRESS,1(1),11201-11201. |
| MLA | Shen, J,et al."Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications".APPLIED PHYSICS EXPRESS 1.1(2008):11201-11201. |
入库方式： OAI收割
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