Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lei, BL ; Yu, GH ; Ye, HH ; Meng, S ; Wang, XZ ; Lin, C ; Qi, M ; Li, A ; Nouet, G ; Ruterana, P ; Chen, J |
| 刊名 | THIN SOLID FILMS
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 516期号:12页码:3772-3775 |
| 关键词 | MOLECULAR-BEAM EPITAXY OPTICAL-PROPERTIES 0001 SAPPHIRE DEPENDENCE FILMS NITRIDATION DIRECTION SURFACES LAYER |
| ISSN号 | 0040-6090 |
| 通讯作者 | Yu, GH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Materials Science, Multidisciplinary; Materials Science, Coatings & Films; Physics, Applied; Physics, Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94977]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lei, BL,Yu, GH,Ye, HH,et al. Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation[J]. THIN SOLID FILMS,2008,516(12):3772-3775. |
| APA | Lei, BL.,Yu, GH.,Ye, HH.,Meng, S.,Wang, XZ.,...&Chen, J.(2008).Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation.THIN SOLID FILMS,516(12),3772-3775. |
| MLA | Lei, BL,et al."Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation".THIN SOLID FILMS 516.12(2008):3772-3775. |
入库方式： OAI收割
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