Fabrication of Silicon-on-Insulator Wafer by SIMOX Layer Transfer
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wei, X ; Zhang, B ; Chen, M ; Zhang, M ; Wang, X ; Lin, CL |
| 刊名 | 2008 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 页码 | 81-82 |
| 关键词 | LOW-DOSE SEPARATION BURIED-OXIDE THERMAL-OXIDATION |
| ISSN号 | 1078-621X |
| 通讯作者 | Wei, X, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94992]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei, X,Zhang, B,Chen, M,et al. Fabrication of Silicon-on-Insulator Wafer by SIMOX Layer Transfer[J]. 2008 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS,2008:81-82. |
| APA | Wei, X,Zhang, B,Chen, M,Zhang, M,Wang, X,&Lin, CL.(2008).Fabrication of Silicon-on-Insulator Wafer by SIMOX Layer Transfer.2008 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS,81-82. |
| MLA | Wei, X,et al."Fabrication of Silicon-on-Insulator Wafer by SIMOX Layer Transfer".2008 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS (2008):81-82. |
入库方式： OAI收割
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