Total dose radiation effects on SOINMOS transistors with different layouts
文献类型：期刊论文
| 作者 | Tian, H ; Zhang, ZX ; He, W ; Yu, WJ ; Wang, R ; Chen, M |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS C
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 32期号:8页码:645-648 |
| 关键词 | BURIED OXIDES BIAS |
| ISSN号 | 1674-1137 |
| 通讯作者 | Tian, H, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Nuclear; Physics, Particles & Fields |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95017]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Tian, H,Zhang, ZX,He, W,et al. Total dose radiation effects on SOINMOS transistors with different layouts[J]. CHINESE PHYSICS C,2008,32(8):645-648. |
| APA | Tian, H,Zhang, ZX,He, W,Yu, WJ,Wang, R,&Chen, M.(2008).Total dose radiation effects on SOINMOS transistors with different layouts.CHINESE PHYSICS C,32(8),645-648. |
| MLA | Tian, H,et al."Total dose radiation effects on SOINMOS transistors with different layouts".CHINESE PHYSICS C 32.8(2008):645-648. |
入库方式： OAI收割
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