Efficient oxygen gettering in Si by coimplantation of hydrogen and helium
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ou, X ; Kogler, R ; Mucklich, A ; Skorupa, W ; Moller, W ; Wang, X ; Gerlach, JW ; Rauschenbach, B |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 93期号:16页码:161907-161907 |
| 关键词 | INDUCED CAVITIES SILICON IMPLANTATION DEFECTS COPPER |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 通讯作者 | Ou, X, Forschungszentrum Rossendorf, PF 510119, D-01314 Dresden, Germany |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95026]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ou, X,Kogler, R,Mucklich, A,et al. Efficient oxygen gettering in Si by coimplantation of hydrogen and helium[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2008,93(16):161907-161907. |
| APA | Ou, X.,Kogler, R.,Mucklich, A.,Skorupa, W.,Moller, W.,...&Rauschenbach, B.(2008).Efficient oxygen gettering in Si by coimplantation of hydrogen and helium.APPLIED PHYSICS LETTERS,93(16),161907-161907. |
| MLA | Ou, X,et al."Efficient oxygen gettering in Si by coimplantation of hydrogen and helium".APPLIED PHYSICS LETTERS 93.16(2008):161907-161907. |
入库方式： OAI收割
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