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Raman spectra of intrinsic and doped hydrogenated nanocrystalline silicon films

文献类型:期刊论文

作者Wei, WS ; Xu, GY ; Wang, JL ; Wang, TM
刊名VACUUM
出版日期2007
卷号81期号:5页码:656-662
关键词AMORPHOUS-SILICON STRUCTURAL ORDER SI SCATTERING TEMPERATURE MICROCRYSTALLINE
ISSN号0042-207X
通讯作者Wei, WS, Wenzhou Univ, Sch Phys & Elect Informat, Wenzhou 325027, Peoples R China
学科主题Materials Science, Multidisciplinary; Physics, Applied
收录类别SCI
语种英语
公开日期2012-03-24
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95082]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Wei, WS,Xu, GY,Wang, JL,et al. Raman spectra of intrinsic and doped hydrogenated nanocrystalline silicon films[J]. VACUUM,2007,81(5):656-662.
APA Wei, WS,Xu, GY,Wang, JL,&Wang, TM.(2007).Raman spectra of intrinsic and doped hydrogenated nanocrystalline silicon films.VACUUM,81(5),656-662.
MLA Wei, WS,et al."Raman spectra of intrinsic and doped hydrogenated nanocrystalline silicon films".VACUUM 81.5(2007):656-662.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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