Effect of structural transformation on the electrical properties for Ge1Sb2Te4 thin film
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, T ; Song, ZT ; Liu, B ; Feng, GM ; Feng, SL ; Chen, BM |
| 刊名 | THIN SOLID FILMS
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 516期号:1页码:42-46 |
| 关键词 | PHASE-CHANGE FILM MEMORY RESISTANCE GESBTE |
| ISSN号 | 0040-6090 |
| 通讯作者 | Zhang, T, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Lab Nanotechnol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Materials Science, Multidisciplinary; Materials Science, Coatings & Films; Physics, Applied; Physics, Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95152]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, T,Song, ZT,Liu, B,et al. Effect of structural transformation on the electrical properties for Ge1Sb2Te4 thin film[J]. THIN SOLID FILMS,2007,516(1):42-46. |
| APA | Zhang, T,Song, ZT,Liu, B,Feng, GM,Feng, SL,&Chen, BM.(2007).Effect of structural transformation on the electrical properties for Ge1Sb2Te4 thin film.THIN SOLID FILMS,516(1),42-46. |
| MLA | Zhang, T,et al."Effect of structural transformation on the electrical properties for Ge1Sb2Te4 thin film".THIN SOLID FILMS 516.1(2007):42-46. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。