Indium assisted hydride vapor phase epitaxy of GaN film
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yu, GH ; Lei, BL ; Ye, HH ; Meng, S ; Qi, M ; Li, AZ ; Ruterana, P ; Chen, J ; Nouet, G |
| 刊名 | JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 7期号:2页码:180-182 |
| 关键词 | SURFACTANT DEPOSITION GROWTH |
| ISSN号 | 1229-9162 |
| 通讯作者 | Yu, GH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Materials Science, Ceramics |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95175]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yu, GH,Lei, BL,Ye, HH,et al. Indium assisted hydride vapor phase epitaxy of GaN film[J]. JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH,2006,7(2):180-182. |
| APA | Yu, GH.,Lei, BL.,Ye, HH.,Meng, S.,Qi, M.,...&Nouet, G.(2006).Indium assisted hydride vapor phase epitaxy of GaN film.JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH,7(2),180-182. |
| MLA | Yu, GH,et al."Indium assisted hydride vapor phase epitaxy of GaN film".JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH 7.2(2006):180-182. |
入库方式： OAI收割
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