InGaP/InGaAs/GaAs DHBT structural materials grown by GSMBE
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ai, LK ; Xu, AH ; Sun, H ; Zhu, FY ; Qi, M |
| 刊名 | RARE METALS
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 25页码:20-23 |
| 关键词 | HBTS |
| ISSN号 | 1001-0521 |
| 通讯作者 | Qi, M, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Materials Science, Multidisciplinary; Metallurgy & Metallurgical Engineering |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1001052108600455 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95211]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ai, LK,Xu, AH,Sun, H,et al. InGaP/InGaAs/GaAs DHBT structural materials grown by GSMBE[J]. RARE METALS,2006,25:20-23. |
| APA | Ai, LK,Xu, AH,Sun, H,Zhu, FY,&Qi, M.(2006).InGaP/InGaAs/GaAs DHBT structural materials grown by GSMBE.RARE METALS,25,20-23. |
| MLA | Ai, LK,et al."InGaP/InGaAs/GaAs DHBT structural materials grown by GSMBE".RARE METALS 25(2006):20-23. |
入库方式： OAI收割
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