Effect of AlN intermediate layer on growing GaN film by hydride vapor phase epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lin, CT ; Yu, GH ; Lei, BL ; Wang, XZ ; Ye, HH ; Meng, S ; Qi, M ; Li, AZ ; Nouet, G ; Ruterana, P ; Chen, J |
| 刊名 | RARE METALS
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 25页码:15-19 |
| 关键词 | HIGH-QUALITY GAN BUFFER LAYER GROWTH DEPOSITION MORPHOLOGY EVOLUTION SAPPHIRE |
| ISSN号 | 1001-0521 |
| 通讯作者 | Yu, GH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Materials Science, Multidisciplinary; Metallurgy & Metallurgical Engineering |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1001052108600443 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95220]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lin, CT,Yu, GH,Lei, BL,et al. Effect of AlN intermediate layer on growing GaN film by hydride vapor phase epitaxy[J]. RARE METALS,2006,25:15-19. |
| APA | Lin, CT.,Yu, GH.,Lei, BL.,Wang, XZ.,Ye, HH.,...&Chen, J.(2006).Effect of AlN intermediate layer on growing GaN film by hydride vapor phase epitaxy.RARE METALS,25,15-19. |
| MLA | Lin, CT,et al."Effect of AlN intermediate layer on growing GaN film by hydride vapor phase epitaxy".RARE METALS 25(2006):15-19. |
入库方式： OAI收割
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