Growth and characterization of GaAs/AlGaAs Thue-Morse quasicrystal photonic bandgap structures
文献类型:期刊论文
作者 | Zhang, YG(张永刚) ; Jiang, XY ; Zhu, C ; Gu, Y ; Li, AZ ; Qi, M ; Feng, SL |
刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
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出版日期 | 2005 |
卷号 | 22期号:5页码:1191-1194 |
关键词 | LIGHT TRANSMISSION LOCALIZATION MULTILAYERS |
ISSN号 | 0256-307X |
通讯作者 | Zhang, YG, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-03-24 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95260] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, YG,Jiang, XY,Zhu, C,et al. Growth and characterization of GaAs/AlGaAs Thue-Morse quasicrystal photonic bandgap structures[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2005,22(5):1191-1194. |
APA | Zhang, YG.,Jiang, XY.,Zhu, C.,Gu, Y.,Li, AZ.,...&Feng, SL.(2005).Growth and characterization of GaAs/AlGaAs Thue-Morse quasicrystal photonic bandgap structures.CHINESE PHYSICS LETTERS,22(5),1191-1194. |
MLA | Zhang, YG,et al."Growth and characterization of GaAs/AlGaAs Thue-Morse quasicrystal photonic bandgap structures".CHINESE PHYSICS LETTERS 22.5(2005):1191-1194. |
入库方式: OAI收割
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