Electrical properties of AlN thin films prepared by ion beam enhanced deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | An, ZG ; Men, CL ; Xu, ZK ; Chu, PK ; Lin, CL |
| 刊名 | SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 196期号:1-3页码:130-134 |
| 关键词 | INSULATOR TEMPERATURE FABRICATION AIN |
| ISSN号 | 0257-8972 |
| 通讯作者 | Chu, PK, City Univ Hong Kong, Dept Phys & Mat Sci, Tat Chee Ave, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China |
| 学科主题 | Materials Science, Coatings & Films; Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95263]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | An, ZG,Men, CL,Xu, ZK,et al. Electrical properties of AlN thin films prepared by ion beam enhanced deposition[J]. SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY,2005,196(1-3):130-134. |
| APA | An, ZG,Men, CL,Xu, ZK,Chu, PK,&Lin, CL.(2005).Electrical properties of AlN thin films prepared by ion beam enhanced deposition.SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY,196(1-3),130-134. |
| MLA | An, ZG,et al."Electrical properties of AlN thin films prepared by ion beam enhanced deposition".SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 196.1-3(2005):130-134. |
入库方式： OAI收割
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