Fabrication of strained silicon on insulator by strain transfer process
文献类型：期刊论文
| 作者 | Jin, B ; Wang, X ; Chen, J ; Cheng, XL ; Chen, ZJ |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 87期号:5页码:51921-51921 |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 关键词 | HOLE MOBILITY ENHANCEMENT SI N-MOSFETS LAYER TRANSFER SUBSTRATE ELECTRON SI1-XGEX |
| 通讯作者 | Jin, B, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95270]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jin, B,Wang, X,Chen, J,et al. Fabrication of strained silicon on insulator by strain transfer process[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2005,87(5):51921-51921. |
| APA | Jin, B,Wang, X,Chen, J,Cheng, XL,&Chen, ZJ.(2005).Fabrication of strained silicon on insulator by strain transfer process.APPLIED PHYSICS LETTERS,87(5),51921-51921. |
| MLA | Jin, B,et al."Fabrication of strained silicon on insulator by strain transfer process".APPLIED PHYSICS LETTERS 87.5(2005):51921-51921. |
入库方式： OAI收割
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