Electrical properties of ag-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase change random access memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xia, JL ; Liu, B ; Song, ZT ; Feng, SL ; Chen, B |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 22期号:4页码:934-937 |
| 关键词 | SWITCHING PHENOMENA DEVICE |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 通讯作者 | Xia, JL, Chinese Acad Sci, Res Ctr Funct Semicond Film Engn & Technol, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95301]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xia, JL,Liu, B,Song, ZT,et al. Electrical properties of ag-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase change random access memory[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2005,22(4):934-937. |
| APA | Xia, JL,Liu, B,Song, ZT,Feng, SL,&Chen, B.(2005).Electrical properties of ag-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase change random access memory.CHINESE PHYSICS LETTERS,22(4),934-937. |
| MLA | Xia, JL,et al."Electrical properties of ag-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase change random access memory".CHINESE PHYSICS LETTERS 22.4(2005):934-937. |
入库方式： OAI收割
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