Patterned silicon-on-insulator technology for RF power LDMOSFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cheng, XH ; Song, ZR ; Dong, YM ; Yu, YH ; Shen, DS |
| 刊名 | MICROELECTRONIC ENGINEERING
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 81期号:1页码:150-155 |
| 关键词 | SOI MOSFETS |
| ISSN号 | 0167-9317 |
| 通讯作者 | Cheng, XH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Res Ctr Semicond Funct Film Engn Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic; Nanoscience & Nanotechnology; Optics; Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95357]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cheng, XH,Song, ZR,Dong, YM,et al. Patterned silicon-on-insulator technology for RF power LDMOSFET[J]. MICROELECTRONIC ENGINEERING,2005,81(1):150-155. |
| APA | Cheng, XH,Song, ZR,Dong, YM,Yu, YH,&Shen, DS.(2005).Patterned silicon-on-insulator technology for RF power LDMOSFET.MICROELECTRONIC ENGINEERING,81(1),150-155. |
| MLA | Cheng, XH,et al."Patterned silicon-on-insulator technology for RF power LDMOSFET".MICROELECTRONIC ENGINEERING 81.1(2005):150-155. |
入库方式： OAI收割
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