Applications of cubic MgZnO thin Films in metal-insulator-silicon structures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liang, J ; Wu, HZ ; Lao, YF ; Qiu, DJ ; Chen, NB ; Xu, TN |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 21期号:6页码:1135-1138 |
| 关键词 | GATE DIELECTRICS TEMPERATURE TRANSPORT SI(111) |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 通讯作者 | Liang, J, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95375]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liang, J,Wu, HZ,Lao, YF,et al. Applications of cubic MgZnO thin Films in metal-insulator-silicon structures[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2004,21(6):1135-1138. |
| APA | Liang, J,Wu, HZ,Lao, YF,Qiu, DJ,Chen, NB,&Xu, TN.(2004).Applications of cubic MgZnO thin Films in metal-insulator-silicon structures.CHINESE PHYSICS LETTERS,21(6),1135-1138. |
| MLA | Liang, J,et al."Applications of cubic MgZnO thin Films in metal-insulator-silicon structures".CHINESE PHYSICS LETTERS 21.6(2004):1135-1138. |
入库方式： OAI收割
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