Low-temperature photoluminescence of hydrogen ion and plasma implanted silicon and porous silicon
文献类型：期刊论文
| 作者 | An, ZH ; Fu, RKY ; Li, WL ; Chen, P ; Chu, PK ; Li, KF ; Luo, L ; Tam, HL ; Cheah, KW ; Lin, CL |
| 刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 96期号:1页码:248-251 |
| 关键词 | LIGHT-EMISSION DEFECTS |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 通讯作者 | Chu, PK, City Univ Hong Kong, Dept Phys & Mat Sci, Tat Chee Ave, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95376]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | An, ZH,Fu, RKY,Li, WL,et al. Low-temperature photoluminescence of hydrogen ion and plasma implanted silicon and porous silicon[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2004,96(1):248-251. |
| APA | An, ZH.,Fu, RKY.,Li, WL.,Chen, P.,Chu, PK.,...&Lin, CL.(2004).Low-temperature photoluminescence of hydrogen ion and plasma implanted silicon and porous silicon.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,96(1),248-251. |
| MLA | An, ZH,et al."Low-temperature photoluminescence of hydrogen ion and plasma implanted silicon and porous silicon".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 96.1(2004):248-251. |
入库方式： OAI收割
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