Effects of buried oxide layer on indium diffusion in separation by implantation of oxygen
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen, P ; Zhu, M ; Fu, RKY ; Chu, PK ; An, ZH ; Liu, W ; Montgomery, N ; Biswas, S |
| 刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 96期号:6页码:3217-3220 |
| 关键词 | TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION ON-INSULATOR FILMS SILICON SIO2 PERFORMANCE CHANNEL PROFILE DEFECTS SIMOX |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 通讯作者 | Chen, P, City Univ Hong Kong, Dept Phys & Mat Sci, Tat Chee Ave, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95388]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, P,Zhu, M,Fu, RKY,et al. Effects of buried oxide layer on indium diffusion in separation by implantation of oxygen[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2004,96(6):3217-3220. |
| APA | Chen, P.,Zhu, M.,Fu, RKY.,Chu, PK.,An, ZH.,...&Biswas, S.(2004).Effects of buried oxide layer on indium diffusion in separation by implantation of oxygen.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,96(6),3217-3220. |
| MLA | Chen, P,et al."Effects of buried oxide layer on indium diffusion in separation by implantation of oxygen".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 96.6(2004):3217-3220. |
入库方式： OAI收割
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