Studies on silicon-on-insulator-multilayer structures prepared by epitaxial layer transfer
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xie, XY ; Lin, Q ; Liu, WL ; Lin, CL |
| 刊名 | MATERIALS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 58期号:3-4页码:465-469 |
| 关键词 | ION-BEAM SYNTHESIS NITRIDE |
| ISSN号 | 0167-577X |
| 通讯作者 | Xie, XY, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Materials Science, Multidisciplinary; Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95395]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xie, XY,Lin, Q,Liu, WL,et al. Studies on silicon-on-insulator-multilayer structures prepared by epitaxial layer transfer[J]. MATERIALS LETTERS,2004,58(3-4):465-469. |
| APA | Xie, XY,Lin, Q,Liu, WL,&Lin, CL.(2004).Studies on silicon-on-insulator-multilayer structures prepared by epitaxial layer transfer.MATERIALS LETTERS,58(3-4),465-469. |
| MLA | Xie, XY,et al."Studies on silicon-on-insulator-multilayer structures prepared by epitaxial layer transfer".MATERIALS LETTERS 58.3-4(2004):465-469. |
入库方式： OAI收割
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