中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSb long wavelength multi quantum well lasers

文献类型:期刊论文

作者Xu, GY ; Li, AZ
刊名ACTA PHYSICA SINICA
出版日期2004
卷号53期号:1页码:218-225
关键词TEMPERATURE CW-OPERATION QW DIODE-LASERS MU-M BAND-STRUCTURE OPTICAL GAIN ALGAASSB GASB ALLOYS
ISSN号1000-3290
通讯作者Xu, GY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China
学科主题Physics, Multidisciplinary
收录类别SCI
语种中文
公开日期2012-03-24
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95396]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Xu, GY,Li, AZ. Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSb long wavelength multi quantum well lasers[J]. ACTA PHYSICA SINICA,2004,53(1):218-225.
APA Xu, GY,&Li, AZ.(2004).Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSb long wavelength multi quantum well lasers.ACTA PHYSICA SINICA,53(1),218-225.
MLA Xu, GY,et al."Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSb long wavelength multi quantum well lasers".ACTA PHYSICA SINICA 53.1(2004):218-225.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。