Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSb long wavelength multi quantum well lasers
文献类型:期刊论文
作者 | Xu, GY ; Li, AZ |
刊名 | ACTA PHYSICA SINICA
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出版日期 | 2004 |
卷号 | 53期号:1页码:218-225 |
关键词 | TEMPERATURE CW-OPERATION QW DIODE-LASERS MU-M BAND-STRUCTURE OPTICAL GAIN ALGAASSB GASB ALLOYS |
ISSN号 | 1000-3290 |
通讯作者 | Xu, GY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
收录类别 | SCI |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-24 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95396] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu, GY,Li, AZ. Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSb long wavelength multi quantum well lasers[J]. ACTA PHYSICA SINICA,2004,53(1):218-225. |
APA | Xu, GY,&Li, AZ.(2004).Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSb long wavelength multi quantum well lasers.ACTA PHYSICA SINICA,53(1),218-225. |
MLA | Xu, GY,et al."Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSb long wavelength multi quantum well lasers".ACTA PHYSICA SINICA 53.1(2004):218-225. |
入库方式: OAI收割
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