Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic unified memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, T ; Liu, B ; Xia, JL ; Song, ZT ; Feng, SL ; Chen, B |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 21期号:4页码:741-743 |
| 关键词 | REVERSIBLE PHASE-TRANSITION TELLURIDE GLASSES CRYSTALLIZATION SEMICONDUCTORS GE20TE80-XBIX |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 通讯作者 | Zhang, T, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Res Ctr Funct Semicond Film Engn & Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95416]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, T,Liu, B,Xia, JL,et al. Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic unified memory[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2004,21(4):741-743. |
| APA | Zhang, T,Liu, B,Xia, JL,Song, ZT,Feng, SL,&Chen, B.(2004).Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic unified memory.CHINESE PHYSICS LETTERS,21(4),741-743. |
| MLA | Zhang, T,et al."Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic unified memory".CHINESE PHYSICS LETTERS 21.4(2004):741-743. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。