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Investigation of SiGe-on-insulator novel structure

文献类型:期刊论文

作者Lin, CL ; Liu, WL ; An, ZH ; Di, ZF ; Zhang, M
刊名JOURNAL OF RARE EARTHS
出版日期2004
卷号22页码:13-16
关键词STRAINED-SI SUBSTRATE SILICON MOSFETS
ISSN号1002-0721
通讯作者Lin, CL, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China
学科主题Chemistry, Applied
收录类别SCI
语种英语
公开日期2012-03-24
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95440]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Lin, CL,Liu, WL,An, ZH,et al. Investigation of SiGe-on-insulator novel structure[J]. JOURNAL OF RARE EARTHS,2004,22:13-16.
APA Lin, CL,Liu, WL,An, ZH,Di, ZF,&Zhang, M.(2004).Investigation of SiGe-on-insulator novel structure.JOURNAL OF RARE EARTHS,22,13-16.
MLA Lin, CL,et al."Investigation of SiGe-on-insulator novel structure".JOURNAL OF RARE EARTHS 22(2004):13-16.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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