Investigation of SiGe-on-insulator novel structure
文献类型:期刊论文
作者 | Lin, CL ; Liu, WL ; An, ZH ; Di, ZF ; Zhang, M |
刊名 | JOURNAL OF RARE EARTHS
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出版日期 | 2004 |
卷号 | 22页码:13-16 |
关键词 | STRAINED-SI SUBSTRATE SILICON MOSFETS |
ISSN号 | 1002-0721 |
通讯作者 | Lin, CL, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
学科主题 | Chemistry, Applied |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-03-24 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95440] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Lin, CL,Liu, WL,An, ZH,et al. Investigation of SiGe-on-insulator novel structure[J]. JOURNAL OF RARE EARTHS,2004,22:13-16. |
APA | Lin, CL,Liu, WL,An, ZH,Di, ZF,&Zhang, M.(2004).Investigation of SiGe-on-insulator novel structure.JOURNAL OF RARE EARTHS,22,13-16. |
MLA | Lin, CL,et al."Investigation of SiGe-on-insulator novel structure".JOURNAL OF RARE EARTHS 22(2004):13-16. |
入库方式: OAI收割
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