Structural analysis of thick GaN films grown by hydride vapour phase epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ruterana, P ; Chen, J ; Nouet, G ; Lei, BL ; Ye, HH ; Yu, GH ; Qi, M ; Li, AZ |
| 刊名 | PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 241期号:12页码:2689-2692 |
| ISSN号 | 0370-1972 |
| 关键词 | NITRIDATION SAPPHIRE |
| 通讯作者 | Ruterana, P, ENSICAEN, CNRS, UMR 6176, Lab Struct Interfaces & Fonctionnal Couches Mince, 6 Blvd Marechal Juin, F-14050 Caen, France |
| 学科主题 | Physics, Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95454]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ruterana, P,Chen, J,Nouet, G,et al. Structural analysis of thick GaN films grown by hydride vapour phase epitaxy[J]. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH,2004,241(12):2689-2692. |
| APA | Ruterana, P.,Chen, J.,Nouet, G.,Lei, BL.,Ye, HH.,...&Li, AZ.(2004).Structural analysis of thick GaN films grown by hydride vapour phase epitaxy.PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH,241(12),2689-2692. |
| MLA | Ruterana, P,et al."Structural analysis of thick GaN films grown by hydride vapour phase epitaxy".PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 241.12(2004):2689-2692. |
入库方式： OAI收割
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