Studies on Al2O3/ZrO2/Al2O3 high K gate dielectrics applied in a fully depleted SOI MOSFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lin, CL ; Zhang, NL ; Shen, QW |
| 刊名 | METALS AND MATERIALS INTERNATIONAL
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 10期号:5页码:475-478 |
| 关键词 | ZRO2/SIO2/SI LAYERED STRUCTURE THERMAL-STABILITY CAPACITORS FILM ZRO2 HFO2 |
| ISSN号 | 1598-9623 |
| 通讯作者 | Lin, CL, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Materials Science, Multidisciplinary; Metallurgy & Metallurgical Engineering |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95466]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lin, CL,Zhang, NL,Shen, QW. Studies on Al2O3/ZrO2/Al2O3 high K gate dielectrics applied in a fully depleted SOI MOSFET[J]. METALS AND MATERIALS INTERNATIONAL,2004,10(5):475-478. |
| APA | Lin, CL,Zhang, NL,&Shen, QW.(2004).Studies on Al2O3/ZrO2/Al2O3 high K gate dielectrics applied in a fully depleted SOI MOSFET.METALS AND MATERIALS INTERNATIONAL,10(5),475-478. |
| MLA | Lin, CL,et al."Studies on Al2O3/ZrO2/Al2O3 high K gate dielectrics applied in a fully depleted SOI MOSFET".METALS AND MATERIALS INTERNATIONAL 10.5(2004):475-478. |
入库方式： OAI收割
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