A new structure of silicon-on-insulator metal-oxide- semiconductor field effect transistor to suppress the floating body effect
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhu, M ; Lin, Q ; Zhang, ZX ; Lin, CL |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 20期号:5页码:767-769 |
| 关键词 | SOI MOSFETS |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 通讯作者 | Zhu, M, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & INformat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95498]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhu, M,Lin, Q,Zhang, ZX,et al. A new structure of silicon-on-insulator metal-oxide- semiconductor field effect transistor to suppress the floating body effect[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2003,20(5):767-769. |
| APA | Zhu, M,Lin, Q,Zhang, ZX,&Lin, CL.(2003).A new structure of silicon-on-insulator metal-oxide- semiconductor field effect transistor to suppress the floating body effect.CHINESE PHYSICS LETTERS,20(5),767-769. |
| MLA | Zhu, M,et al."A new structure of silicon-on-insulator metal-oxide- semiconductor field effect transistor to suppress the floating body effect".CHINESE PHYSICS LETTERS 20.5(2003):767-769. |
入库方式： OAI收割
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