Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xie, XY ; Lin, Q ; Men, CL ; Liu, WL ; Xu, AH ; Lin, CL |
| 刊名 | ACTA PHYSICA SINICA
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 52期号:1页码:207-210 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 通讯作者 | Xie, XY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat & Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95510]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xie, XY,Lin, Q,Men, CL,et al. Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer[J]. ACTA PHYSICA SINICA,2003,52(1):207-210. |
| APA | Xie, XY,Lin, Q,Men, CL,Liu, WL,Xu, AH,&Lin, CL.(2003).Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer.ACTA PHYSICA SINICA,52(1),207-210. |
| MLA | Xie, XY,et al."Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer".ACTA PHYSICA SINICA 52.1(2003):207-210. |
入库方式： OAI收割
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