Broaden buried oxide layer of SOI structure in SIMOX using water plasma
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen, J ; Dong, YM ; Wang, X ; Yi, WB ; Wang, X |
| 刊名 | 2003 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS
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| 出版日期 | 2003 |
| 页码 | 181-182 |
| 关键词 | ION-IMPLANTATION SILICON OXYGEN |
| 通讯作者 | Chen, J, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic; Materials Science, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95535]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, J,Dong, YM,Wang, X,et al. Broaden buried oxide layer of SOI structure in SIMOX using water plasma[J]. 2003 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS,2003:181-182. |
| APA | Chen, J,Dong, YM,Wang, X,Yi, WB,&Wang, X.(2003).Broaden buried oxide layer of SOI structure in SIMOX using water plasma.2003 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS,181-182. |
| MLA | Chen, J,et al."Broaden buried oxide layer of SOI structure in SIMOX using water plasma".2003 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS (2003):181-182. |
入库方式： OAI收割
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