Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xie, XY ; Liu, WL ; Lin, Q ; Men, CL ; Lin, CL |
| 刊名 | PHYSICA B-CONDENSED MATTER
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 336期号:3-4页码:344-348 |
| 关键词 | ION-BEAM SYNTHESIS NITRIDE |
| ISSN号 | 0921-4526 |
| 通讯作者 | Xie, XY, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsys & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95546]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xie, XY,Liu, WL,Lin, Q,et al. Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer[J]. PHYSICA B-CONDENSED MATTER,2003,336(3-4):344-348. |
| APA | Xie, XY,Liu, WL,Lin, Q,Men, CL,&Lin, CL.(2003).Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer.PHYSICA B-CONDENSED MATTER,336(3-4),344-348. |
| MLA | Xie, XY,et al."Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer".PHYSICA B-CONDENSED MATTER 336.3-4(2003):344-348. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。