Oxygen profile engineering in silicon by germanium addition and high-temperature annealing
文献类型：期刊论文
| 作者 | An, ZH ; Chu, PK ; Zhang, M ; Men, CL ; Lin, CL |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 83期号:2页码:305-307 |
| 关键词 | ION-IMPLANTATION SI/SIO2 SUPERLATTICE SI |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 通讯作者 | Chu, PK, City Univ Hong Kong, Dept Phys & Mat Sci, Tat Chee Ave, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95548]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | An, ZH,Chu, PK,Zhang, M,et al. Oxygen profile engineering in silicon by germanium addition and high-temperature annealing[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2003,83(2):305-307. |
| APA | An, ZH,Chu, PK,Zhang, M,Men, CL,&Lin, CL.(2003).Oxygen profile engineering in silicon by germanium addition and high-temperature annealing.APPLIED PHYSICS LETTERS,83(2),305-307. |
| MLA | An, ZH,et al."Oxygen profile engineering in silicon by germanium addition and high-temperature annealing".APPLIED PHYSICS LETTERS 83.2(2003):305-307. |
入库方式： OAI收割
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