Stress current calculation of stacked dielectrics in time dependent dielectric breakdown
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang, WW ; Cheng, XH ; Xing, YM ; Li, WJ ; Yu, YH |
| 刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 94期号:6页码:4032-4035 |
| 关键词 | TUNNELING CURRENTS OXIDE THICKNESS LEAKAGE CURRENT MOS CAPACITORS MODEL INTERFACES SIO2 |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 通讯作者 | Yang, WW, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95558]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, WW,Cheng, XH,Xing, YM,et al. Stress current calculation of stacked dielectrics in time dependent dielectric breakdown[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2003,94(6):4032-4035. |
| APA | Yang, WW,Cheng, XH,Xing, YM,Li, WJ,&Yu, YH.(2003).Stress current calculation of stacked dielectrics in time dependent dielectric breakdown.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,94(6),4032-4035. |
| MLA | Yang, WW,et al."Stress current calculation of stacked dielectrics in time dependent dielectric breakdown".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 94.6(2003):4032-4035. |
入库方式： OAI收割
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