Optical gain of InGaAsSb/AlGaAsSb type-I long wavelength quantum-well lasers
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xu, GY ; Li, AZ |
| 刊名 | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 18期号:9页码:827-833 |
| 关键词 | TEMPERATURE CW-OPERATION QW DIODE-LASERS MU-M BAND-STRUCTURE ALGAASSB GASB ALLOYS |
| ISSN号 | 0268-1242 |
| 通讯作者 | Xu, GY, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic; Materials Science, Multidisciplinary; Physics, Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95560]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu, GY,Li, AZ. Optical gain of InGaAsSb/AlGaAsSb type-I long wavelength quantum-well lasers[J]. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2003,18(9):827-833. |
| APA | Xu, GY,&Li, AZ.(2003).Optical gain of InGaAsSb/AlGaAsSb type-I long wavelength quantum-well lasers.SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,18(9),827-833. |
| MLA | Xu, GY,et al."Optical gain of InGaAsSb/AlGaAsSb type-I long wavelength quantum-well lasers".SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 18.9(2003):827-833. |
入库方式： OAI收割
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