中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
Sulphur passivation of the InGaAsSb/GaSb photodiodes

文献类型:期刊论文

作者Wu, BH ; Xia, GQ ; Li, ZH ; Zhou, J
刊名APPLIED PHYSICS LETTERS
出版日期2002
卷号80期号:7页码:1303-1305
关键词THERMOPHOTOVOLTAIC DEVICES GAAS-SURFACES PERFORMANCE DETECTIVITY
ISSN号0003-6951
通讯作者Wu, BH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Met, Changning Rd 865, Shanghai 200050, Peoples R China
学科主题Physics, Applied
收录类别SCI
语种英语
公开日期2012-03-24
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95604]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Wu, BH,Xia, GQ,Li, ZH,et al. Sulphur passivation of the InGaAsSb/GaSb photodiodes[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2002,80(7):1303-1305.
APA Wu, BH,Xia, GQ,Li, ZH,&Zhou, J.(2002).Sulphur passivation of the InGaAsSb/GaSb photodiodes.APPLIED PHYSICS LETTERS,80(7),1303-1305.
MLA Wu, BH,et al."Sulphur passivation of the InGaAsSb/GaSb photodiodes".APPLIED PHYSICS LETTERS 80.7(2002):1303-1305.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。