Behaviour of oxygen-implanted and hydrogen-implanted SiGe/Si heterostructures
文献类型：期刊论文
| 作者 | An, ZH(安正华） ; Zhang, M（张苗） ; Men, CL（门传玲） ; Shen, QW（沈勤我） ; Lin, ZX（林梓鑫） ; Li, KC（李开成） ; Lin, CL（林成鲁） |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 19期号:3页码:413-415 |
| 关键词 | SILICON |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 通讯作者 | An, ZH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Met, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95611]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | An, ZH,Zhang, M,Men, CL,et al. Behaviour of oxygen-implanted and hydrogen-implanted SiGe/Si heterostructures[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2002,19(3):413-415. |
| APA | An, ZH.,Zhang, M.,Men, CL.,Shen, QW.,Lin, ZX.,...&Lin, CL.(2002).Behaviour of oxygen-implanted and hydrogen-implanted SiGe/Si heterostructures.CHINESE PHYSICS LETTERS,19(3),413-415. |
| MLA | An, ZH,et al."Behaviour of oxygen-implanted and hydrogen-implanted SiGe/Si heterostructures".CHINESE PHYSICS LETTERS 19.3(2002):413-415. |
入库方式： OAI收割
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