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MBE grown 2.0 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb MQW ridge waveguide laser diodes

文献类型:期刊论文

作者Zhang, YG(张永刚) ; Li, AZ ; Zheng, YL ; Lin, C ; Jian, GZ
刊名JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
出版日期2001
卷号227页码:582-585
关键词QUANTUM-WELL LASERS SINGLE-MODE OPERATION POWER 2.0-MU-M 2-MU-M
ISSN号0022-0248
通讯作者Li, AZ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Met, State Key Lab Funct Mat Informat, 865 Chang Ning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China
学科主题Crystallography; Materials Science, Multidisciplinary; Physics, Applied
收录类别SCI
语种英语
公开日期2012-03-24
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95672]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhang, YG,Li, AZ,Zheng, YL,et al. MBE grown 2.0 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb MQW ridge waveguide laser diodes[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2001,227:582-585.
APA Zhang, YG,Li, AZ,Zheng, YL,Lin, C,&Jian, GZ.(2001).MBE grown 2.0 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb MQW ridge waveguide laser diodes.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,227,582-585.
MLA Zhang, YG,et al."MBE grown 2.0 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb MQW ridge waveguide laser diodes".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 227(2001):582-585.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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