Quasi RT-CW operation of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen, JX ; Li, AZ ; Chen, YQ ; Guo, FM ; Lin, C ; Zhang, YG(张永刚） ; Qi, M |
| 刊名 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 227页码:338-342 |
| 关键词 | MU-M 2.0-MU-M |
| ISSN号 | 0022-0248 |
| 通讯作者 | Li, AZ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Met, State Key Lab Funct Mat Informat, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Crystallography; Materials Science, Multidisciplinary; Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95677]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, JX,Li, AZ,Chen, YQ,et al. Quasi RT-CW operation of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2001,227:338-342. |
| APA | Chen, JX.,Li, AZ.,Chen, YQ.,Guo, FM.,Lin, C.,...&Qi, M.(2001).Quasi RT-CW operation of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,227,338-342. |
| MLA | Chen, JX,et al."Quasi RT-CW operation of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 227(2001):338-342. |
入库方式： OAI收割
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