Damage in hydrogen plasma implanted silicon
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, LW ; Fu, RKY ; Zeng, X ; Chu, PK ; Cheung, WY ; Wong, SP |
| 刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 90期号:4页码:1735-1739 |
| 关键词 | IMMERSION ION-IMPLANTATION |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 通讯作者 | Chu, PK, City Univ Hong Kong, Dept Phys & Mat Sci, Tat Chee Ave, Kowlong, Hong Kong, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95704]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, LW,Fu, RKY,Zeng, X,et al. Damage in hydrogen plasma implanted silicon[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2001,90(4):1735-1739. |
| APA | Wang, LW,Fu, RKY,Zeng, X,Chu, PK,Cheung, WY,&Wong, SP.(2001).Damage in hydrogen plasma implanted silicon.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,90(4),1735-1739. |
| MLA | Wang, LW,et al."Damage in hydrogen plasma implanted silicon".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 90.4(2001):1735-1739. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。