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Electron spin resonance in doped nanocrystalline silicon films

文献类型:期刊论文

作者Liu, XN ; Xu, GY ; Sui, YX ; He, YL ; Bao, XM
刊名SOLID STATE COMMUNICATIONS
出版日期2001
卷号119期号:6页码:397-401
关键词CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION MICROCRYSTALLINE SILICON PHOTOLUMINESCENCE SIZE
ISSN号0038-1098
通讯作者Liu, XN, Nanjing Univ, Natl Key Lab Solid State Microstruct, Dept Phys, Nanjing 210093, Peoples R China
学科主题Physics, Condensed Matter
收录类别SCI
语种英语
公开日期2012-03-24
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95735]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu, XN,Xu, GY,Sui, YX,et al. Electron spin resonance in doped nanocrystalline silicon films[J]. SOLID STATE COMMUNICATIONS,2001,119(6):397-401.
APA Liu, XN,Xu, GY,Sui, YX,He, YL,&Bao, XM.(2001).Electron spin resonance in doped nanocrystalline silicon films.SOLID STATE COMMUNICATIONS,119(6),397-401.
MLA Liu, XN,et al."Electron spin resonance in doped nanocrystalline silicon films".SOLID STATE COMMUNICATIONS 119.6(2001):397-401.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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