Photoluminescence from Ge-SiO2 thin films and its mechanism
文献类型：期刊论文
| 作者 | Dong, YM ; Chen, J ; Tang, NY ; Ye, CN ; Wu, XM ; Zhuge, LJ ; Yao, WG |
| 刊名 | CHINESE SCIENCE BULLETIN
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 46期号:15页码:1268-1271 |
| 关键词 | GE+-IMPLANTED SIO2-FILMS QUANTUM-CONFINEMENT GERMANIUM NANOCRYSTALS SIO2 MATRIX SILICON LUMINESCENCE BLUE |
| ISSN号 | 1001-6538 |
| 通讯作者 | Yao, WG, Suzhou Univ, Dept Phys, Suzhou 215006, Peoples R China |
| 学科主题 | Multidisciplinary Sciences |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95747]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Dong, YM,Chen, J,Tang, NY,et al. Photoluminescence from Ge-SiO2 thin films and its mechanism[J]. CHINESE SCIENCE BULLETIN,2001,46(15):1268-1271. |
| APA | Dong, YM.,Chen, J.,Tang, NY.,Ye, CN.,Wu, XM.,...&Yao, WG.(2001).Photoluminescence from Ge-SiO2 thin films and its mechanism.CHINESE SCIENCE BULLETIN,46(15),1268-1271. |
| MLA | Dong, YM,et al."Photoluminescence from Ge-SiO2 thin films and its mechanism".CHINESE SCIENCE BULLETIN 46.15(2001):1268-1271. |
入库方式： OAI收割
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