Preparation of AlN films by ion-beam-enhanced deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Men, CL ; Xu, Z ; Zheng, ZH ; Duo, XZ ; Zhang, M ; Lin, CL |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 18期号:9页码:1282-1284 |
| 关键词 | CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION NITRIDE FILMS TEMPERATURE ALUMINUM |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 通讯作者 | Men, CL, Tongji Univ, Sch Mat Sci & Engn, Inst Microelect Mat, Shanghai 200092, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95752]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Men, CL,Xu, Z,Zheng, ZH,et al. Preparation of AlN films by ion-beam-enhanced deposition[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2001,18(9):1282-1284. |
| APA | Men, CL,Xu, Z,Zheng, ZH,Duo, XZ,Zhang, M,&Lin, CL.(2001).Preparation of AlN films by ion-beam-enhanced deposition.CHINESE PHYSICS LETTERS,18(9),1282-1284. |
| MLA | Men, CL,et al."Preparation of AlN films by ion-beam-enhanced deposition".CHINESE PHYSICS LETTERS 18.9(2001):1282-1284. |
入库方式： OAI收割
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