XPS and AES investigation of GaN films grown by MBE
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yuan, JS ; Chen, GD ; Qi, M ; Li, AZ ; Xu, Z |
| 刊名 | ACTA PHYSICA SINICA
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 50期号:12页码:2429-2433 |
| 关键词 | STRUCTURE LASER-DIODES LIGHT-EMITTING DIODES VAPOR-PHASE EPITAXY IMPURITY |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 通讯作者 | Yuan, JS, Xian Jiaotong Univ, Dept Appl Phys, Xian 710049, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95755]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yuan, JS,Chen, GD,Qi, M,et al. XPS and AES investigation of GaN films grown by MBE[J]. ACTA PHYSICA SINICA,2001,50(12):2429-2433. |
| APA | Yuan, JS,Chen, GD,Qi, M,Li, AZ,&Xu, Z.(2001).XPS and AES investigation of GaN films grown by MBE.ACTA PHYSICA SINICA,50(12),2429-2433. |
| MLA | Yuan, JS,et al."XPS and AES investigation of GaN films grown by MBE".ACTA PHYSICA SINICA 50.12(2001):2429-2433. |
入库方式： OAI收割
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