InAsP/InGaAsP strained microstructures grown by gas source molecular beam epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen, YQ ; Chen, JX ; Zhang, YG(张永刚） ; Li, AZ ; Frojdh, K ; Stotz, B |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 17期号:6页码:435-437 |
| 关键词 | QUANTUM-WELL LASER |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 通讯作者 | Chen, YQ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Met, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95758]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, YQ,Chen, JX,Zhang, YG,et al. InAsP/InGaAsP strained microstructures grown by gas source molecular beam epitaxy[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2000,17(6):435-437. |
| APA | Chen, YQ,Chen, JX,Zhang, YG,Li, AZ,Frojdh, K,&Stotz, B.(2000).InAsP/InGaAsP strained microstructures grown by gas source molecular beam epitaxy.CHINESE PHYSICS LETTERS,17(6),435-437. |
| MLA | Chen, YQ,et al."InAsP/InGaAsP strained microstructures grown by gas source molecular beam epitaxy".CHINESE PHYSICS LETTERS 17.6(2000):435-437. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。